NTB004N10G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 337.60 грн |
| 50+ | 294.73 грн |
| 100+ | 254.75 грн |
| 250+ | 249.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB004N10G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTB004N10G за ціною від 221.53 грн до 455.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTB004N10G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTB004N10G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET 201 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTB004N10G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTB004N10G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTB004N10G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTB004N10G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTB004N10G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
NTB004N10G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTB004N10G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTB004N10G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC On-state resistance: 4.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 201A Power dissipation: 340W Pulsed drain current: 3002A |
товару немає в наявності |