Продукція > ONSEMI > NTB004N10G
NTB004N10G

NTB004N10G onsemi

ntb004n10g-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 89967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+238.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB004N10G onsemi

Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTB004N10G за ціною від 222.04 грн до 581.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+319.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+370.86 грн
10+329.57 грн
25+304.33 грн
100+262.22 грн
250+238.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : ONSEMI 3005742.pdf Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+379.34 грн
50+322.77 грн
100+253.98 грн
250+237.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+399.39 грн
35+354.92 грн
38+327.74 грн
100+282.39 грн
250+256.33 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : ONSEMI 3005742.pdf Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.89 грн
5+442.03 грн
10+379.34 грн
50+322.77 грн
100+253.98 грн
250+237.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : onsemi ntb004n10g-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 90300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.90 грн
10+361.02 грн
25+314.67 грн
100+246.17 грн
250+222.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : onsemi ntb004n10g-d.pdf MOSFETs Power MOSFET 201 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.62 грн
10+404.74 грн
25+318.57 грн
100+272.12 грн
250+247.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G Виробник : ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G Виробник : ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G NTB004N10G Виробник : ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G Виробник : ONSEMI ntb004n10g-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 201A
Pulsed drain current: 3002A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB004N10G Виробник : ONSEMI ntb004n10g-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 201A
Pulsed drain current: 3002A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.