Продукція > ONSEMI > NTB011N15MC
NTB011N15MC

NTB011N15MC onsemi

ntb011n15mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: NTB011N15MC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.09 грн
10+209.15 грн
25+192.32 грн
100+163.19 грн
250+154.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB011N15MC onsemi

Description: NTB011N15MC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V.

Інші пропозиції NTB011N15MC за ціною від 144.22 грн до 300.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTB011N15MC NTB011N15MC Виробник : onsemi ntb011n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V N-FET D2PAK
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.75 грн
10+206.72 грн
100+154.67 грн
500+144.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB011N15MC Виробник : ONN ntb011n15mc-d.pdf
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB011N15MC NTB011N15MC Виробник : onsemi ntb011n15mc-d.pdf Description: NTB011N15MC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB011N15MC Виробник : ONSEMI ntb011n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 75.4A; Idm: 323A; 136.4W
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 75.4A
Power dissipation: 136.4W
Pulsed drain current: 323A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.