NTB011N15MC onsemi
Виробник: onsemiDescription: NTB011N15MC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 158.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB011N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136.4W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTB011N15MC за ціною від 151.92 грн до 426.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTB011N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136.4W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTB011N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136.4W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTB011N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTB011N15MC | Виробник : onsemi |
Description: NTB011N15MC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V |
на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTB011N15MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 75.4A; Idm: 323A; 136.4W Mounting: SMD Power dissipation: 136.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 323A Case: D2PAK Drain-source voltage: 150V Drain current: 75.4A On-state resistance: 10.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTB011N15MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 75.4A; Idm: 323A; 136.4W Mounting: SMD Power dissipation: 136.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 323A Case: D2PAK Drain-source voltage: 150V Drain current: 75.4A On-state resistance: 10.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |