Продукція > ONSEMI > NTB082N65S3F
NTB082N65S3F

NTB082N65S3F onsemi


ntb082n65s3f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+306.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB082N65S3F onsemi

Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTB082N65S3F за ціною від 293.99 грн до 648.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+341.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+362.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+367.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+461.05 грн
10+393.77 грн
25+391.88 грн
100+362.12 грн
250+320.77 грн
500+293.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+496.52 грн
29+422.03 грн
100+389.98 грн
250+345.44 грн
500+316.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ONSEMI 2619960.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+518.55 грн
50+391.56 грн
100+319.57 грн
250+300.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : onsemi NTB082N65S3F_D-2318523.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.31 грн
10+448.13 грн
25+388.23 грн
100+311.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : onsemi ntb082n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.35 грн
10+431.77 грн
100+360.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ONSEMI 2619960.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+648.79 грн
5+583.67 грн
10+518.55 грн
50+391.56 грн
100+319.57 грн
250+300.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F Виробник : ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf NTB082N65S3F SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.