Продукція > ONSEMI > NTB082N65S3F
NTB082N65S3F

NTB082N65S3F onsemi

ntb082n65s3f-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+318.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB082N65S3F onsemi

Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 313W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції NTB082N65S3F за ціною від 375.72 грн до 872.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.47 грн
10+540.34 грн
25+530.22 грн
100+501.43 грн
250+455.25 грн
500+428.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+550.47 грн
28+530.22 грн
100+501.43 грн
250+455.25 грн
500+428.36 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+603.19 грн
100+572.48 грн
500+543.00 грн
1000+493.99 грн
10000+431.07 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F onsemi ntb082n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 9742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.73 грн
10+490.04 грн
100+375.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F onsemi ntb082n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+872.81 грн
10+622.62 грн
100+451.30 грн
500+402.08 грн
800+380.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+550.47 грн
10+540.34 грн
25+530.22 грн
100+501.43 грн
250+455.25 грн
500+428.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+550.47 грн
28+530.22 грн
100+501.43 грн
250+455.25 грн
500+428.36 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+603.19 грн
100+572.48 грн
500+543.00 грн
1000+493.99 грн
10000+431.07 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 9742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+738.73 грн
10+490.04 грн
100+375.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+872.81 грн
10+622.62 грн
100+451.30 грн
500+402.08 грн
800+380.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.