Продукція > ONSEMI > NTB095N65S3HF
NTB095N65S3HF

NTB095N65S3HF onsemi

ntb095n65s3hf-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+233.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB095N65S3HF onsemi

Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTB095N65S3HF за ціною від 235.48 грн до 603.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ONSEMI 2785822.pdf Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+416.39 грн
50+355.55 грн
100+240.63 грн
250+235.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.75 грн
10+318.64 грн
100+275.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb095n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+470.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb095n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+504.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.69 грн
10+368.77 грн
100+277.81 грн
500+235.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ONSEMI 2785822.pdf Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+603.55 грн
5+509.97 грн
10+416.39 грн
50+355.55 грн
100+240.63 грн
250+235.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb095n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb095n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb095n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF Виробник : ONSEMI ntb095n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 36A
Power dissipation: 272W
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF Виробник : ONSEMI ntb095n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 36A
Power dissipation: 272W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.