Продукція > ONSEMI > NTB110N65S3HF
NTB110N65S3HF

NTB110N65S3HF ONSEMI

2736035.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+223.22 грн
500+170.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB110N65S3HF ONSEMI

Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTB110N65S3HF за ціною від 170.20 грн до 546.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF ONSEMI 2736035.pdf Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.48 грн
10+262.32 грн
100+223.22 грн
500+170.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF onsemi ntb110n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.83 грн
10+339.20 грн
100+247.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF onsemi ntb110n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.63 грн
10+364.57 грн
100+224.15 грн
500+208.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ON Semiconductor ntb110n65s3hf-d.pdf
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF 2736035.pdf
NTB110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+371.48 грн
10+262.32 грн
100+223.22 грн
500+170.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
NTB110N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+520.83 грн
10+339.20 грн
100+247.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
NTB110N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+546.63 грн
10+364.57 грн
100+224.15 грн
500+208.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.