NTB110N65S3HF ON Semiconductor


ntb110n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+286.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB110N65S3HF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 240W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm.

Інші пропозиції NTB110N65S3HF за ціною від 336.34 грн до 373.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF ON Semiconductor ntb110n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.97 грн
100+355.15 грн
500+336.34 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF onsemi MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF ONSEMI Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF ONSEMI Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ON Semiconductor
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+373.97 грн
100+355.15 грн
500+336.34 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.