Продукція > ONSEMI > NTB150N65S3HF
NTB150N65S3HF

NTB150N65S3HF onsemi

ntb150n65s3hf-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+186.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB150N65S3HF onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTB150N65S3HF за ціною від 173.35 грн до 407.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTB150N65S3HF NTB150N65S3HF Виробник : onsemi ntb150n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.13 грн
10+278.90 грн
100+214.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF NTB150N65S3HF Виробник : onsemi NTB150N65S3HF-D.PDF MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.17 грн
10+309.14 грн
100+208.48 грн
500+185.57 грн
800+175.65 грн
2400+174.88 грн
4800+173.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb150n65s3hf-d.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF NTB150N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb150n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF Виробник : ONSEMI ntb150n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.