Продукція > ONSEMI > NTB25P06T4G
NTB25P06T4G

NTB25P06T4G onsemi

ntb25p06-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+70.79 грн
1600+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB25P06T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTB25P06T4G за ціною від 95.04 грн до 218.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTB25P06T4G NTB25P06T4G ON Semiconductor ntb25p06-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.39 грн
105+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G NTB25P06T4G onsemi ntb25p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.98 грн
10+137.29 грн
100+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G NTB25P06T4G onsemi ntb25p06-d.pdf MOSFETs -60V -27.5A Pchannel
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G NTB25P06T4G ONSEMI 1842085.pdf Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G ntb25p06-d.pdf
NTB25P06T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+194.39 грн
105+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G ntb25p06-d.pdf
NTB25P06T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.98 грн
10+137.29 грн
100+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G ntb25p06-d.pdf
NTB25P06T4G
Виробник: onsemi
MOSFETs -60V -27.5A Pchannel
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB25P06T4G 1842085.pdf
NTB25P06T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.