NTB25P06T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 72.48 грн |
| 1600+ | 66.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB25P06T4G onsemi
Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTB25P06T4G за ціною від 69.06 грн до 266.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTB25P06T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTB25P06T4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -60V -27.5A Pchannel |
на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTB25P06T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTB25P06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTB25P06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NTB25P06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTB25P06T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK Drain-source voltage: -60V Drain current: -27.5A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NTB25P06T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK Drain-source voltage: -60V Drain current: -27.5A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Mounting: SMD Case: D2PAK |
товару немає в наявності |