NTB25P06T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB25P06T4G onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTB25P06T4G за ціною від 88.36 грн до 228.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTB25P06T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTB25P06T4G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTB25P06T4G | onsemi |
MOSFETs -60V -27.5A Pchannel |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NTB25P06T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 195.26 грн |
| 105+ | 135.02 грн |
| NTB25P06T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.46 грн |
| 10+ | 136.34 грн |
| 100+ | 94.38 грн |
| NTB25P06T4G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -60V -27.5A Pchannel
MOSFETs -60V -27.5A Pchannel
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.73 грн |
| 10+ | 146.87 грн |
| 100+ | 88.36 грн |