Продукція > ONSEMI > NTB5405NT4G
NTB5405NT4G

NTB5405NT4G onsemi


ntb5405n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
332+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 332
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB5405NT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V.

Інші пропозиції NTB5405NT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTB5405NT4G NTB5405NT4G Виробник : ON Semiconductor NTB5405N_D-2318474.pdf MOSFET NFET 40V 116A PB
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB5405NT4G NTB5405NT4G Виробник : onsemi ntb5405n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
товар відсутній