NTB5D0N15MC onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB5D0N15MC onsemi
Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTB5D0N15MC за ціною від 159.29 грн до 401.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTB5D0N15MC | onsemi |
MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A |
на замовлення 5318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTB5D0N15MC | onsemi |
Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATEInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTB5D0N15MC | ON Semiconductor |
|
на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTB5D0N15MC |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
на замовлення 5318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.39 грн |
| 10+ | 267.48 грн |
| 100+ | 187.48 грн |
| 500+ | 167.04 грн |
| 800+ | 159.29 грн |
| NTB5D0N15MC |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.22 грн |
| 10+ | 274.42 грн |
| 100+ | 205.03 грн |
| NTB5D0N15MC |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


