NTB5D0N15MC onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 191.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB5D0N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTB5D0N15MC за ціною від 169.36 грн до 422.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTB5D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTB5D0N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTB5D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTB5D0N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 150V N-FET D2PAK |
на замовлення 5756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTB5D0N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
NTB5D0N15MC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |