Продукція > ONSEMI > NTB6410ANT4G

NTB6410ANT4G onsemi

Name: NTB6410ANT4G
Brand: onsemi
SKU: 5145012-4
Price: 565.2 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	282.60 грн
10+	251.66 грн
25+	206.76 грн
100+	178.84 грн
500+	152.43 грн
800+	127.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTB6410ANT4G onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 76A, On-state resistance: 13mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 188W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 0.12µC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 305A, Mounting: SMD, Case: D2PAK, кількість в упаковці: 800 шт.

Інші пропозиції NTB6410ANT4G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NTB6410ANT4G	Виробник : ON Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK	на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NTB6410ANT4G	Виробник : ON Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK	на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NTB6410ANT4G	Виробник : ON Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK	на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NTB6410ANT4G	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NTB6410ANT4G	Виробник : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 305A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 800 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTB6410ANT4G	Виробник : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 305A Mounting: SMD Case: D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.