Продукція > ONSEMI > NTB6413ANT4G
NTB6413ANT4G

NTB6413ANT4G onsemi

ntb6413an-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+77.75 грн
1600+69.50 грн
2400+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB6413ANT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTB6413ANT4G за ціною від 61.15 грн до 226.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTB6413ANT4G NTB6413ANT4G Виробник : onsemi 52B6AB03467B1EF8FF4E83904A6222A77511CC15654A75864866E5850960FA93.pdf MOSFETs NFET D2PAK 100V 40A 30MO
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.68 грн
10+80.47 грн
100+66.68 грн
500+61.54 грн
800+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTB6413ANT4G NTB6413ANT4G Виробник : onsemi ntb6413an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 31592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.59 грн
10+141.71 грн
100+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB6413ANT4G Виробник : ON Semiconductor ntb6413an-d.pdf
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB6413ANT4G Виробник : ONSEMI ntb6413an-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 178A; 136W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 178A
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.