Технічний опис NTB65N02R ON
Description: MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTB65N02R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTB65N02R | Виробник : ON |
 SOT-263 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTB65N02R | Виробник : ON |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NTB65N02R | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |