NTB7D3N15MC ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 146.49 грн |
| 500+ | 122.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB7D3N15MC ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTB7D3N15MC за ціною від 115.31 грн до 256.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTB7D3N15MC | Виробник : onsemi |
Description: NTB7D3N15MC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTB7D3N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTB7D3N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A |
на замовлення 3098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTB7D3N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 15.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTB7D3N15MC | Виробник : onsemi |
Description: NTB7D3N15MC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTB7D3N15MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 488A; 166W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 7.3mΩ Drain current: 101A Pulsed drain current: 488A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 166W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |