Технічний опис NTB85N03 ON
Description: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V.
Інші пропозиції NTB85N03
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTB85N03 | Виробник : ON |
 SOT-263 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTB85N03 | Виробник : ON |
TO-263 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTB85N03 | Виробник : ON |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NTB85N03 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |