Продукція > ONSEMI > NTB90N02T4G
NTB90N02T4G

NTB90N02T4G onsemi


ntb90n02-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
на замовлення 5795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
523+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 523
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB90N02T4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTB90N02T4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTB90N02T4G Виробник : ON ntb90n02-d.pdf 10+ BGA
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02T4G NTB90N02T4G Виробник : onsemi ntb90n02-d.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
товар відсутній