NTBG014N120M3P onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1259.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG014N120M3P onsemi
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBG014N120M3P за ціною від 1274.55 грн до 2154.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBG014N120M3P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG014N120M3P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG014N120M3P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBG014N120M3P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG014N120M3P | Виробник : onsemi |
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V |
на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBG014N120M3P | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG014N120M3P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG014N120M3P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTBG014N120M3P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTBG014N120M3P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 106A; Idm: 452A; 326W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 106A Pulsed drain current: 452A Power dissipation: 326W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 377nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |