Продукція > ONSEMI > NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P

NTBG014N120M3P onsemi

ntbg014n120m3p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1263.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG014N120M3P onsemi

Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85414900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції NTBG014N120M3P за ціною від 1488.80 грн до 2760.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P onsemi ntbg014n120m3p-d.pdf Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2153.47 грн
10+1519.80 грн
100+1488.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P ON Semiconductor ntbg014n120m3pd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2760.62 грн
10+2166.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P ON Semiconductor ntbg014n120m3pd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2760.62 грн
10+2166.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P onsemi ntbg014n120m3p-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P ONSEMI NTBG014N120M3P-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P ONSEMI NTBG014N120M3P-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P ntbg014n120m3p-d.pdf
NTBG014N120M3P
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2153.47 грн
10+1519.80 грн
100+1488.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P ntbg014n120m3pd.pdf
NTBG014N120M3P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2760.62 грн
10+2166.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P ntbg014n120m3pd.pdf
NTBG014N120M3P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2760.62 грн
10+2166.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P ntbg014n120m3p-d.pdf
NTBG014N120M3P
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P-D.PDF
NTBG014N120M3P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P-D.PDF
NTBG014N120M3P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.