Продукція > ONSEMI > NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P

NTBG014N120M3P onsemi

ntbg014n120m3p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1247.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG014N120M3P onsemi

Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V, Power Dissipation (Max): 454W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG014N120M3P за ціною від 1279.89 грн до 2195.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P onsemi ntbg014n120m3p-d.pdf Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1987.41 грн
10+1470.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P NTBG014N120M3P onsemi ntbg014n120m3p-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2195.51 грн
10+1586.99 грн
100+1351.69 грн
500+1279.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P ntbg014n120m3p-d.pdf
NTBG014N120M3P
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1987.41 грн
10+1470.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG014N120M3P ntbg014n120m3p-d.pdf
NTBG014N120M3P
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2195.51 грн
10+1586.99 грн
100+1351.69 грн
500+1279.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.