Продукція > ONSEMI > NTBG015N065SC1
NTBG015N065SC1

NTBG015N065SC1 onsemi

ntbg015n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1187.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG015N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Single, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції NTBG015N065SC1 за ціною від 1399.22 грн до 2050.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 ON Semiconductor ntbg015n065sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1477.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 onsemi ntbg015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 8197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2050.31 грн
10+1443.01 грн
100+1399.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 onsemi ntbg015n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 ONSEMI 3772073.pdf Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 ntbg015n065sc1d.pdf
NTBG015N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1477.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 ntbg015n065sc1-d.pdf
NTBG015N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 8197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2050.31 грн
10+1443.01 грн
100+1399.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 ntbg015n065sc1-d.pdf
NTBG015N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 3772073.pdf
NTBG015N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.