NTBG015N065SC1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1294.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG015N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBG015N065SC1 за ціною від 1187.16 грн до 2112.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBG015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 176A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTBG015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBG015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTBG015N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTBG015N065SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V |
на замовлення 3967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBG015N065SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V |
на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBG015N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBG015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTBG015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
NTBG015N065SC1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |