Продукція > ONSEMI > NTBG020N090SC1
NTBG020N090SC1

NTBG020N090SC1 ONSEMI

ntbg020n090sc1-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1841.26 грн
50+1832.38 грн
100+1692.44 грн
250+1531.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG020N090SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 477W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTBG020N090SC1 за ціною від 1376.36 грн до 2283.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 Виробник : onsemi ntbg020n090sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2057.01 грн
10+1506.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 Виробник : onsemi ntbg020n090sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2132.70 грн
10+1695.61 грн
100+1434.10 грн
500+1376.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 Виробник : ONSEMI ntbg020n090sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2283.16 грн
10+1841.26 грн
50+1832.38 грн
100+1692.44 грн
250+1531.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 Виробник : onsemi ntbg020n090sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 Виробник : ONSEMI ntbg020n090sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 3.7W
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 448A
Drain-source voltage: 900V
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.