Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTBG020N090SC1
NTBG020N090SC1

NTBG020N090SC1 ON Semiconductor

ntbg020n090sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1631.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG020N090SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 477W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції NTBG020N090SC1 за ціною від 1416.79 грн до 2196.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1632.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 onsemi ntbg020n090sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2070.55 грн
10+1457.72 грн
100+1416.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2178.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2178.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2196.96 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 onsemi ntbg020n090sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ONSEMI NTBG020N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ONSEMI 3772053.pdf Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ONSEMI NTBG020N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ON Semiconductor ntbg020n090sc1-d.pdf
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1632.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2070.55 грн
10+1457.72 грн
100+1416.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2178.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2178.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2196.96 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1-D.PDF
NTBG020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 3772053.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1-D.PDF
NTBG020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.