NTBG020N120SC1 onsemi
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG020N120SC1 onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTBG020N120SC1 за ціною від 1678.89 грн до 2755.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTBG020N120SC1 | onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTBG020N120SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V |
на замовлення 1384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| NTBG020N120SC1 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 571 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTBG020N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2493.76 грн |
| 10+ | 1943.03 грн |
| NTBG020N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
SiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2755.52 грн |
| 10+ | 2053.93 грн |
| 500+ | 1678.89 грн |
| NTBG020N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)