NTBG020N120SC1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1916.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG020N120SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 468W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBG020N120SC1 за ціною від 1821.61 грн до 2798.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBG020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBG020N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG020N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBG020N120SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG020N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 571 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
NTBG020N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 98A, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 98 hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: NLR Verlustleistung: 468 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.7W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.22µC On-state resistance: 50mΩ Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 392A Drain-source voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |