Продукція > ONSEMI > NTBG022N120M3S
NTBG022N120M3S

NTBG022N120M3S onsemi

ntbg022n120m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+791.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG022N120M3S onsemi

Description: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 234W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG022N120M3S за ціною від 839.83 грн до 1459.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG022N120M3S NTBG022N120M3S Виробник : onsemi ntbg022n120m3s-d.pdf Description: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 12370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1414.95 грн
10+973.63 грн
100+839.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3S NTBG022N120M3S Виробник : onsemi NTBG022N120M3S_D-3150324.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1459.96 грн
10+1268.21 грн
25+1072.62 грн
50+1013.03 грн
100+953.44 грн
250+924.02 грн
500+864.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3S Виробник : ON Semiconductor ntbg022n120m3s-d.pdf SiC MOSFET 1200 V 22 mohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+868.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3S Виробник : ONSEMI ntbg022n120m3s-d.pdf NTBG022N120M3S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.