NTBG023N065M3S onsemi
Виробник: onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 403.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG023N065M3S onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTBG023N065M3S за ціною від 424.33 грн до 902.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTBG023N065M3S | Виробник : onsemi |
Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V |
на замовлення 15481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTBG023N065M3S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|