Продукція > ONSEMI > NTBG025N065SC1

NTBG025N065SC1 onsemi


ntbg025n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+788.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG025N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTBG025N065SC1 за ціною від 821.83 грн до 1554.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1 onsemi ntbg025n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1481.98 грн
10+1023.48 грн
100+929.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1 onsemi ntbg025n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1554.96 грн
10+1099.92 грн
100+868.35 грн
500+821.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ntbg025n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1481.98 грн
10+1023.48 грн
100+929.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ntbg025n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1554.96 грн
10+1099.92 грн
100+868.35 грн
500+821.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.