Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTBG025N065SC1
NTBG025N065SC1

NTBG025N065SC1 ON Semiconductor

ntbg025n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1262.55 грн
25+1241.86 грн
100+1177.55 грн
250+1072.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG025N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTBG025N065SC1 за ціною від 1072.68 грн до 1282.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1 ON Semiconductor ntbg025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1282.31 грн
10+1262.55 грн
25+1241.86 грн
100+1177.55 грн
250+1072.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1 onsemi ntbg025n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1 ONSEMI NTBG025N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1 ONSEMI NTBG025N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ntbg025n065sc1-d.pdf
NTBG025N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1282.31 грн
10+1262.55 грн
25+1241.86 грн
100+1177.55 грн
250+1072.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ntbg025n065sc1-d.pdf
NTBG025N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1-D.PDF
NTBG025N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 NTBG025N065SC1-D.PDF
NTBG025N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.