NTBG028N170M1 onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1685.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG028N170M1 onsemi
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 428W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBG028N170M1 за ціною від 1987.01 грн до 2765.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBG028N170M1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : onsemi |
Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 428W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V |
на замовлення 2098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBG028N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NTBG028N170M1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTBG028N170M1 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 53A; Idm: 195A; 214W Kind of package: reel; tape Technology: SiC Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 222nC On-state resistance: 57mΩ Power dissipation: 214W Drain current: 53A Pulsed drain current: 195A Drain-source voltage: 1.7kV Case: D2PAK-7 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |