Продукція > ONSEMI > NTBG028N170M1
NTBG028N170M1

NTBG028N170M1 onsemi

ntbg028n170m1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+1696.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG028N170M1 onsemi

Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V, Power Dissipation (Max): 428W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG028N170M1 за ціною від 1841.35 грн до 2813.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1 onsemi ntbg028n170m1-d.pdf Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2546.79 грн
10+1999.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1 onsemi ntbg028n170m1-d.pdf SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
1+2813.82 грн
10+2228.37 грн
100+1841.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 ntbg028n170m1-d.pdf
NTBG028N170M1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2546.79 грн
10+1999.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 ntbg028n170m1-d.pdf
NTBG028N170M1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2813.82 грн
10+2228.37 грн
100+1841.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.