NTBG028N170M1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1776.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG028N170M1 onsemi
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 428W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBG028N170M1 за ціною від 1868.76 грн до 2802.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBG028N170M1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBG028N170M1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBG028N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : onsemi |
Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 428W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V |
на замовлення 3033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
NTBG028N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTBG028N170M1 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 53A; Idm: 195A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 53A Pulsed drain current: 195A Power dissipation: 214W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 222nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |