Продукція > ONSEMI > NTBG030N120M3S
NTBG030N120M3S

NTBG030N120M3S onsemi

NTBG030N120M3S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+409.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG030N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG030N120M3S за ціною від 452.76 грн до 896.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ON Semiconductor ntbg030n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ON Semiconductor ntbg030n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ON Semiconductor ntbg030n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S onsemi NTBG030N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.80 грн
10+601.15 грн
50+488.77 грн
100+452.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S onsemi NTBG030N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S ntbg030n120m3sd.pdf
NTBG030N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+470.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S ntbg030n120m3sd.pdf
NTBG030N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+574.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S ntbg030n120m3sd.pdf
NTBG030N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+574.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S-D.PDF
NTBG030N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+896.80 грн
10+601.15 грн
50+488.77 грн
100+452.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S-D.PDF
NTBG030N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3S ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG030N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.