Продукція > ONSEMI > NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S

NTBG032N065M3S onsemi

ntbg032n065m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+267.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG032N065M3S onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTBG032N065M3S за ціною від 271.72 грн до 666.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG032N065M3S NTBG032N065M3S Виробник : onsemi ntbg032n065m3s-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.54 грн
10+397.54 грн
100+315.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3S NTBG032N065M3S Виробник : onsemi ntbg032n065m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+666.53 грн
10+450.29 грн
100+290.53 грн
500+271.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3S Виробник : ONN ntbg032n065m3s-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.