Продукція > ONSEMI > NTBG040N120SC1

NTBG040N120SC1 onsemi


ntbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+871.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG040N120SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG040N120SC1 за ціною від 1000.85 грн до 1603.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1385.57 грн
10+1150.98 грн
800+1000.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1603.30 грн
10+1112.66 грн
100+1027.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ON Semiconductor ntbg040n120sc1-d.pdf
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1385.57 грн
10+1150.98 грн
800+1000.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1603.30 грн
10+1112.66 грн
100+1027.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.