Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTBG040N120SC1
NTBG040N120SC1

NTBG040N120SC1 ON Semiconductor

ntbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1229.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG040N120SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції NTBG040N120SC1 за ціною від 1035.25 грн до 1774.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 ON Semiconductor ntbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.31 грн
10+1268.82 грн
100+1248.06 грн
500+1145.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1615.40 грн
10+1121.21 грн
100+1035.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 ON Semiconductor ntbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1774.94 грн
10+1454.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 ON Semiconductor ntbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1774.94 грн
10+1454.28 грн
100+1443.90 грн
500+1259.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 ONSEMI NTBG040N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 ONSEMI NTBG040N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 ONSEMI 3005743.pdf Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ON Semiconductor ntbg040n120sc1-d.pdf
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1423.31 грн
10+1268.82 грн
100+1248.06 грн
500+1145.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1615.40 грн
10+1121.21 грн
100+1035.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1774.94 грн
10+1454.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1774.94 грн
10+1454.28 грн
100+1443.90 грн
500+1259.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1-D.PDF
NTBG040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1-D.PDF
NTBG040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 3005743.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.