Продукція > ONSEMI > NTBG045N065SC1
NTBG045N065SC1

NTBG045N065SC1 onsemi

ntbg045n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+466.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG045N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL, Vgs (Max): +22V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.

Інші пропозиції NTBG045N065SC1 за ціною від 472.38 грн до 959.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 Виробник : onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+921.77 грн
10+621.72 грн
100+549.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 Виробник : onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+959.16 грн
10+688.26 грн
100+505.12 грн
500+472.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 Виробник : ONN ntbg045n065sc1-d.pdf
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.