Продукція > ONSEMI > NTBG045N065SC1
NTBG045N065SC1

NTBG045N065SC1 onsemi

ntbg045n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+459.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG045N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 242W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTBG045N065SC1 за ціною від 542.07 грн до 909.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.26 грн
10+613.28 грн
100+542.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI NTBG045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI NTBG045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ONN ntbg045n065sc1-d.pdf
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+909.26 грн
10+613.28 грн
100+542.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1-D.PDF
NTBG045N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1-D.PDF
NTBG045N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.