Продукція > ONSEMI > NTBG045N065SC1
NTBG045N065SC1

NTBG045N065SC1 onsemi

ntbg045n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+477.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG045N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Single, Verlustleistung: 242W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції NTBG045N065SC1 за ціною від 562.79 грн до 1123.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ON Semiconductor ntbg045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+854.50 грн
100+812.07 грн
500+769.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.19 грн
10+681.33 грн
50+562.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ON Semiconductor ntbg045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.75 грн
10+870.67 грн
100+714.06 грн
800+612.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ON Semiconductor ntbg045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1123.75 грн
17+870.67 грн
100+714.06 грн
800+612.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI 3772080.pdf Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ONN ntbg045n065sc1-d.pdf
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+854.50 грн
100+812.07 грн
500+769.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1010.19 грн
10+681.33 грн
50+562.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1123.75 грн
10+870.67 грн
100+714.06 грн
800+612.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1123.75 грн
17+870.67 грн
100+714.06 грн
800+612.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 3772080.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.