Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTBG060N065SC1
NTBG060N065SC1

NTBG060N065SC1 ON Semiconductor

ntbg060n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+157.63 грн
10+155.17 грн
25+152.62 грн
100+144.80 грн
250+131.88 грн
500+124.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG060N065SC1 ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTBG060N065SC1 за ціною від 124.50 грн до 834.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 ON Semiconductor ntbg060n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.63 грн
92+155.17 грн
93+152.62 грн
100+144.80 грн
250+131.88 грн
500+124.50 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+374.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 ON Semiconductor ntbg060n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.88 грн
10+557.91 грн
100+441.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+157.63 грн
92+155.17 грн
93+152.62 грн
100+144.80 грн
250+131.88 грн
500+124.50 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+374.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+466.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+834.88 грн
10+557.91 грн
100+441.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.