Продукція > ONSEMI > NTBG060N065SC1
NTBG060N065SC1

NTBG060N065SC1 onsemi

ntbg060n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+403.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG060N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTBG060N065SC1 за ціною від 398.51 грн до 839.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 Виробник : onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+826.26 грн
10+616.96 грн
25+535.02 грн
100+415.39 грн
250+413.92 грн
500+404.38 грн
800+398.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 Виробник : onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.94 грн
10+560.91 грн
100+420.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 Виробник : ON Semiconductor ntbg060n065sc1-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 Виробник : ONSEMI ntbg060n065sc1-d.pdf NTBG060N065SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.