Продукція > ONSEMI > NTBG060N090SC1
NTBG060N090SC1

NTBG060N090SC1 onsemi

ntbg060n090sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+477.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG060N090SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTBG060N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 44A, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Single, Verlustleistung: 211W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції NTBG060N090SC1 за ціною від 563.06 грн до 1008.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 ON Semiconductor ntbg060n090sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 ON Semiconductor ntbg060n090sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+749.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 ON Semiconductor ntbg060n090sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+749.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 onsemi ntbg060n090sc1-d.pdf Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1008.09 грн
10+680.13 грн
100+563.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 ONSEMI 3772058.pdf Description: ONSEMI - NTBG060N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 44A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 onsemi ntbg060n090sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS 60MOHM 900V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 ON Semiconductor ntbg060n090sc1-d.pdf
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 ntbg060n090sc1d.pdf
NTBG060N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+587.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 ntbg060n090sc1d.pdf
NTBG060N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+749.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 ntbg060n090sc1d.pdf
NTBG060N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+749.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 ntbg060n090sc1-d.pdf
NTBG060N090SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1008.09 грн
10+680.13 грн
100+563.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 3772058.pdf
NTBG060N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG060N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 44A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 ntbg060n090sc1-d.pdf
NTBG060N090SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS 60MOHM 900V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 ntbg060n090sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.