Продукція > ONSEMI > NTBG060N090SC1
NTBG060N090SC1

NTBG060N090SC1 onsemi

ntbg060n090sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+488.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG060N090SC1 onsemi

Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V.

Інші пропозиції NTBG060N090SC1 за ціною від 519.92 грн до 843.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 Виробник : onsemi ntbg060n090sc1-d.pdf Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
на замовлення 9126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+810.57 грн
10+603.61 грн
100+576.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 NTBG060N090SC1 Виробник : onsemi ntbg060n090sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS 60MOHM 900V
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+843.40 грн
10+685.56 грн
25+581.05 грн
100+576.52 грн
250+575.01 грн
500+519.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor ntbg060n090sc1-d.pdf SiC Power, Single N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+575.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor ntbg060n090sc1-d.pdf
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N090SC1 Виробник : ONSEMI ntbg060n090sc1-d.pdf NTBG060N090SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.