Продукція > ONSEMI > NTBG070N120M3S
NTBG070N120M3S

NTBG070N120M3S onsemi

NTBG070N120M3S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+258.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG070N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 172W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG070N120M3S за ціною від 242.23 грн до 1207.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S Виробник : onsemi Onsemi_11_15_2022_NTBG070N120M3S_D-3074426.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.52 грн
10+432.16 грн
25+365.98 грн
100+275.43 грн
800+242.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S Виробник : onsemi NTBG070N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.94 грн
10+397.82 грн
100+291.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+875.29 грн
50+728.67 грн
100+621.10 грн
250+579.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1207.97 грн
5+1056.45 грн
10+875.29 грн
50+728.67 грн
100+621.10 грн
250+579.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S Виробник : ON Semiconductor ntbg070n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+677.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S Виробник : ONSEMI NTBG070N120M3S-D.PDF NTBG070N120M3S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.