Продукція > ONSEMI > NTBG080N120SC1
NTBG080N120SC1

NTBG080N120SC1 onsemi

ntbg080n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+449.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG080N120SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG080N120SC1 за ціною від 413.85 грн до 896.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 Виробник : onsemi ntbg080n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+718.55 грн
10+583.30 грн
100+475.86 грн
500+443.12 грн
800+413.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 Виробник : onsemi ntbg080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+896.68 грн
10+603.83 грн
100+530.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG080N120SC1 Виробник : ONN ntbg080n120sc1-d.pdf
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.