Продукція > ONSEMI > NTBG1000N170M1
NTBG1000N170M1

NTBG1000N170M1 onsemi

NTBG1000N170M1-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+131.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG1000N170M1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції NTBG1000N170M1 за ціною від 126.54 грн до 344.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBG1000N170M1 NTBG1000N170M1 Виробник : onsemi NTBG1000N170M1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.80 грн
10+203.85 грн
100+150.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG1000N170M1 NTBG1000N170M1 Виробник : onsemi NTBG1000N170M1_D-3150438.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.18 грн
10+254.66 грн
25+218.50 грн
100+159.64 грн
800+126.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG1000N170M1 Виробник : ONSEMI NTBG1000N170M1-D.PDF NTBG1000N170M1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.