NTBG160N120SC1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 318.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG160N120SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBG160N120SC1 за ціною від 295.68 грн до 707.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBG160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBG160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTBG160N120SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBG160N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NTBG160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 19.5 hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: NLR Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
NTBG160N120SC1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |