Продукція > ONSEMI > NTBGS001N06C
NTBGS001N06C

NTBGS001N06C ONSEMI

ntbgs001n06c-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+824.12 грн
100+696.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBGS001N06C ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 342A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 245W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTBGS001N06C за ціною від 554.19 грн до 1105.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBGS001N06C NTBGS001N06C Виробник : onsemi ntbgs001n06c-d.pdf Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+962.20 грн
10+676.73 грн
100+554.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS001N06C NTBGS001N06C Виробник : onsemi NTBGS001N06C_D-2318445.pdf MOSFETs Power MOSFET, 60 V, 1.1 mohm, 342 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.0 m?, 363 A, Single N-Channel, D2PAK7
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1105.39 грн
10+795.89 грн
25+691.34 грн
100+664.19 грн
250+663.45 грн
500+625.29 грн
800+589.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS001N06C NTBGS001N06C Виробник : ONSEMI ntbgs001n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS001N06C NTBGS001N06C Виробник : ON Semiconductor ntbgs001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS001N06C NTBGS001N06C Виробник : onsemi ntbgs001n06c-d.pdf Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.