NTBGS2D5N06C ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 399.64 грн |
| 10+ | 269.71 грн |
| 100+ | 196.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBGS2D5N06C ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 169A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTBGS2D5N06C за ціною від 217.09 грн до 509.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBGS2D5N06C | onsemi |
Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTBGS2D5N06C | onsemi |
MOSFET NFET D2PAK7 60V 2.5MO |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBGS2D5N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 349 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTBGS2D5N06C |
|
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 459.90 грн |
| 10+ | 298.86 грн |
| 100+ | 217.31 грн |
| NTBGS2D5N06C |
|
Виробник: onsemi
MOSFET NFET D2PAK7 60V 2.5MO
MOSFET NFET D2PAK7 60V 2.5MO
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 509.00 грн |
| 10+ | 451.48 грн |
| 25+ | 370.74 грн |
| 100+ | 322.11 грн |
| 500+ | 273.47 грн |
| 800+ | 230.48 грн |
| 2400+ | 217.09 грн |
| NTBGS2D5N06C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)