NTBGS4D1N15MC onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 209.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBGS4D1N15MC onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V.
Інші пропозиції NTBGS4D1N15MC за ціною від 201.09 грн до 522.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTBGS4D1N15MC | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTBGS4D1N15MC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V |
на замовлення 46945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTBGS4D1N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NTBGS4D1N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
NTBGS4D1N15MC | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |