NTBGS4D1N15MC onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 217.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBGS4D1N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 316W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBGS4D1N15MC за ціною від 182.03 грн до 541.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBGS4D1N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBGS4D1N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBGS4D1N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7 |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBGS4D1N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V |
на замовлення 46945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 185A; 316W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 4.7mΩ Drain current: 185A Drain-source voltage: 150V Power dissipation: 316W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |