NTBGS4D1N15MC


ntbgs4d1n15mc-d.pdf
Код товару: 220733
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTBGS4D1N15MC за ціною від 198.44 грн до 513.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : onsemi ntbgs4d1n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+206.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+273.60 грн
500+237.52 грн
1000+207.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.23 грн
10+315.22 грн
25+310.20 грн
100+294.29 грн
250+268.02 грн
500+253.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+320.23 грн
45+310.20 грн
100+294.29 грн
250+268.02 грн
500+253.00 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : onsemi ntbgs4d1n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.22 грн
10+256.13 грн
100+201.21 грн
500+198.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+445.21 грн
10+314.89 грн
100+273.60 грн
500+237.52 грн
1000+207.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : onsemi ntbgs4d1n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.61 грн
10+328.10 грн
25+284.76 грн
100+221.27 грн
250+198.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC Виробник : ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Виробник : ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC Виробник : ONSEMI ntbgs4d1n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 185A; 316W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 185A
Power dissipation: 316W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.