Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > NTBGS4D1N15MC

NTBGS4D1N15MC

ntbgs4d1n15mc-d.pdf
Код товару: 220733
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTBGS4D1N15MC за ціною від 201.58 грн до 521.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC onsemi ntbgs4d1n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+209.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+277.94 грн
500+241.29 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.30 грн
10+320.21 грн
25+315.12 грн
100+298.95 грн
250+272.26 грн
500+257.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.30 грн
45+315.12 грн
100+298.95 грн
250+272.26 грн
500+257.01 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC onsemi ntbgs4d1n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.65 грн
10+260.19 грн
100+204.40 грн
500+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.26 грн
10+319.87 грн
100+277.94 грн
500+241.29 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC onsemi ntbgs4d1n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.75 грн
10+333.29 грн
25+289.27 грн
100+224.77 грн
250+201.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+209.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC 3005744.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+277.94 грн
500+241.29 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+325.30 грн
10+320.21 грн
25+315.12 грн
100+298.95 грн
250+272.26 грн
500+257.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+325.30 грн
45+315.12 грн
100+298.95 грн
250+272.26 грн
500+257.01 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+348.65 грн
10+260.19 грн
100+204.40 грн
500+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC 3005744.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+452.26 грн
10+319.87 грн
100+277.94 грн
500+241.29 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
на замовлення 46945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+521.75 грн
10+333.29 грн
25+289.27 грн
100+224.77 грн
250+201.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.