NTBGS6D5N15MC ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 262.15 грн |
| 500+ | 242.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBGS6D5N15MC ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBGS6D5N15MC за ціною від 208.48 грн до 543.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBGS6D5N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7 |
на замовлення 1329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBGS6D5N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBGS6D5N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBGS6D5N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V |
на замовлення 12530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |