Продукція > ONSEMI > NTBL023N065M3S
NTBL023N065M3S

NTBL023N065M3S onsemi

ntbl023n065m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1046.38 грн
10+711.38 грн
100+544.56 грн
500+499.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBL023N065M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTBL023N065M3S за ціною від 571.73 грн до 1105.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBL023N065M3S NTBL023N065M3S Виробник : onsemi ntbl023n065m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1105.47 грн
10+769.75 грн
100+571.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.