| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 935.10 грн |
| 10+ | 592.05 грн |
| 100+ | 436.50 грн |
| 500+ | 412.92 грн |
| 1000+ | 384.79 грн |
| 2000+ | 384.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBL023N065M3S onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTBL023N065M3S за ціною від 530.12 грн до 1110.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBL023N065M3S | onsemi |
 Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELIPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V |
на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTBL023N065M3S |
|
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1110.82 грн |
| 10+ | 755.26 грн |
| 100+ | 578.19 грн |
| 500+ | 530.12 грн |