Продукція > ONSEMI > NTBL032N065M3S
NTBL032N065M3S

NTBL032N065M3S onsemi

ntbl032n065m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1396 pF @ 400 V
на замовлення 15995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.79 грн
10+388.47 грн
100+285.86 грн
500+239.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBL032N065M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1396 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTBL032N065M3S за ціною від 250.97 грн до 634.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBL032N065M3S NTBL032N065M3S Виробник : onsemi NTBL032N065M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.69 грн
10+455.80 грн
100+330.54 грн
500+296.11 грн
2000+250.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.