NTBL060N065SC1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 344.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBL060N065SC1 onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V.
Інші пропозиції NTBL060N065SC1 за ціною від 370.80 грн до 697.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBL060N065SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTBL060N065SC1 | Виробник : onsemi |
Description: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V |
на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|