Продукція > ONSEMI > NTBL075N065SC1
NTBL075N065SC1

NTBL075N065SC1 onsemi

NTBL075N065SC1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+243.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBL075N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції NTBL075N065SC1 за ціною від 223.43 грн до 627.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 ONSEMI 4332476.pdf Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+341.25 грн
50+281.75 грн
100+227.66 грн
250+223.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 ONSEMI 4332476.pdf Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.31 грн
5+420.19 грн
10+341.25 грн
50+281.75 грн
100+227.66 грн
250+223.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 onsemi NTBL075N065SC1-D.PDF Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
на замовлення 29877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.63 грн
10+395.07 грн
100+290.53 грн
500+269.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 onsemi NTBL075N065SC1-D.PDF SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.41 грн
10+420.68 грн
100+269.95 грн
500+266.42 грн
1000+252.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 4332476.pdf
NTBL075N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+341.25 грн
50+281.75 грн
100+227.66 грн
250+223.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 4332476.pdf
NTBL075N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+498.31 грн
5+420.19 грн
10+341.25 грн
50+281.75 грн
100+227.66 грн
250+223.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1-D.PDF
NTBL075N065SC1
Виробник: onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
на замовлення 29877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+602.63 грн
10+395.07 грн
100+290.53 грн
500+269.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1-D.PDF
NTBL075N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+627.41 грн
10+420.68 грн
100+269.95 грн
500+266.42 грн
1000+252.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.