Продукція > ONSEMI > NTBL075N065SC1
NTBL075N065SC1

NTBL075N065SC1 onsemi

ntbl075n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.96 грн
10+423.60 грн
25+349.00 грн
100+335.61 грн
250+325.19 грн
500+316.26 грн
2000+267.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBL075N065SC1 onsemi

Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 139W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTBL075N065SC1 за ціною від 281.17 грн до 553.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 Виробник : onsemi ntbl075n065sc1-d.pdf Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.01 грн
10+384.70 грн
100+321.39 грн
500+281.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 Виробник : onsemi ntbl075n065sc1-d.pdf Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.