на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 564.41 грн |
| 10+ | 416.17 грн |
| 100+ | 310.84 грн |
| 500+ | 287.98 грн |
| 2000+ | 244.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBL075N065SC1 onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 139W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V.
Інші пропозиції NTBL075N065SC1 за ціною від 287.87 грн до 566.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBL075N065SC1 | Виробник : onsemi |
 Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTBL075N065SC1 | Виробник : onsemi |
Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V |
товару немає в наявності |