
NTBL075N065SC1 onsemi

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TOLL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 521.44 грн |
10+ | 457.45 грн |
25+ | 368.42 грн |
100+ | 347.14 грн |
250+ | 331.73 грн |
500+ | 316.31 грн |
1000+ | 314.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBL075N065SC1 onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 139W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V.
Інші пропозиції NTBL075N065SC1 за ціною від 288.68 грн до 571.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTBL075N065SC1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTBL075N065SC1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V |
товару немає в наявності |