Продукція > ONSEMI > NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF

NTBL082N65S3HF onsemi

ntbl082n65s3hf-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: NTBL082N65S3HF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+332.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBL082N65S3HF onsemi

Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 313W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTBL082N65S3HF за ціною від 340.68 грн до 586.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBL082N65S3HF NTBL082N65S3HF ON Semiconductor ntbl082n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+489.70 грн
30+474.58 грн
100+450.34 грн
250+410.23 грн
500+387.42 грн
1000+380.94 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF NTBL082N65S3HF ON Semiconductor ntbl082n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 11192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+536.29 грн
100+509.12 грн
500+483.13 грн
1000+439.68 грн
10000+382.85 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF NTBL082N65S3HF ON Semiconductor ntbl082n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF NTBL082N65S3HF onsemi ntbl082n65s3hf-d.pdf Description: NTBL082N65S3HF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.36 грн
10+437.73 грн
25+406.06 грн
100+348.40 грн
250+340.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF NTBL082N65S3HF onsemi ntbl082n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF NTBL082N65S3HF ONSEMI 3409755.pdf Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF NTBL082N65S3HF ONSEMI ntbl082n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ONN ntbl082n65s3hf-d.pdf
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ntbl082n65s3hf-d.pdf
NTBL082N65S3HF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+489.70 грн
30+474.58 грн
100+450.34 грн
250+410.23 грн
500+387.42 грн
1000+380.94 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ntbl082n65s3hf-d.pdf
NTBL082N65S3HF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 11192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+536.29 грн
100+509.12 грн
500+483.13 грн
1000+439.68 грн
10000+382.85 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ntbl082n65s3hf-d.pdf
NTBL082N65S3HF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+543.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ntbl082n65s3hf-d.pdf
NTBL082N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: NTBL082N65S3HF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+586.36 грн
10+437.73 грн
25+406.06 грн
100+348.40 грн
250+340.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ntbl082n65s3hf-d.pdf
NTBL082N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF 3409755.pdf
NTBL082N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ntbl082n65s3hf-d.pdf
NTBL082N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HF ntbl082n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.