NTBL082N65S3HF ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 334.83 грн |
| 100+ | 231.54 грн |
| 500+ | 199.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBL082N65S3HF ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 313W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTBL082N65S3HF за ціною від 240.52 грн до 734.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTBL082N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTBL082N65S3HF | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 40 A, 82 mohm, TOLL |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTBL082N65S3HF | Виробник : onsemi |
Description: NTBL082N65S3HF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
NTBL082N65S3HF | Виробник : onsemi |
Description: NTBL082N65S3HF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |