Продукція > ONSEMI > NTBLS001N06C
NTBLS001N06C

NTBLS001N06C onsemi

ntbls001n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.28 грн
10+331.80 грн
25+306.71 грн
100+261.92 грн
250+249.56 грн
500+242.11 грн
1000+232.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBLS001N06C onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTBLS001N06C за ціною від 230.57 грн до 481.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBLS001N06C NTBLS001N06C Виробник : onsemi NTBLS001N06C-D.PDF MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.84 грн
10+337.47 грн
100+244.54 грн
500+235.23 грн
1000+232.90 грн
2000+232.12 грн
4000+230.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor ntbls001n06c-d.pdf
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor ntbls001n06c-d.pdf Power MOSFET 60 V, 1 mW, 297 A, Single N-Channel, TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06C NTBLS001N06C Виробник : onsemi ntbls001n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06C Виробник : ONSEMI ntbls001n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 422A; Idm: 900A; 284W; H-PSOF8L
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 0.9mΩ
Power dissipation: 284W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 422A
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.