на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 473.99 грн |
| 10+ | 331.97 грн |
| 100+ | 240.56 грн |
| 500+ | 231.39 грн |
| 1000+ | 229.10 грн |
| 2000+ | 228.34 грн |
| 4000+ | 226.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBLS001N06C onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NTBLS001N06C за ціною від 212.89 грн до 562.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTBLS001N06C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTBLS001N06C | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NTBLS001N06C | Виробник : ON Semiconductor |
Power MOSFET 60 V, 1 mW, 297 A, Single N-Channel, TOLL |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
NTBLS001N06C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTBLS001N06C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 422A; Idm: 900A; 284W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 422A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 284W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

