Продукція > ONSEMI > NTBLS0D7N06C
NTBLS0D7N06C

NTBLS0D7N06C onsemi

NTBLS0D7N06C_D-2318754.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+674.28 грн
10+569.82 грн
25+494.79 грн
100+413.03 грн
250+404.57 грн
500+357.35 грн
1000+321.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBLS0D7N06C onsemi

Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 470A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 314W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm.

Інші пропозиції NTBLS0D7N06C за ціною від 296.86 грн до 817.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C onsemi ntbls0d7n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.19 грн
10+461.11 грн
100+342.70 грн
500+296.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C ONSEMI 2913016.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+817.36 грн
50+561.63 грн
100+481.87 грн
500+389.42 грн
1000+352.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C ONSEMI 2913016.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+817.36 грн
50+561.63 грн
100+481.87 грн
500+389.42 грн
1000+352.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06C ON Semiconductor ntbls0d7n06c-d.pdf
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06C ntbls0d7n06c-d.pdf
NTBLS0D7N06C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+696.19 грн
10+461.11 грн
100+342.70 грн
500+296.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06C 2913016.pdf
NTBLS0D7N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+817.36 грн
50+561.63 грн
100+481.87 грн
500+389.42 грн
1000+352.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06C 2913016.pdf
NTBLS0D7N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+817.36 грн
50+561.63 грн
100+481.87 грн
500+389.42 грн
1000+352.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06C ntbls0d7n06c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.