Продукція > ONSEMI > NTBLS0D8N08XTXG
NTBLS0D8N08XTXG

NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI

ntbls0d8n08x-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+428.11 грн
50+376.13 грн
100+326.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 457A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTBLS0D8N08XTXG за ціною від 196.71 грн до 585.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG Виробник : onsemi ntbls0d8n08x-d.pdf Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.39 грн
10+332.17 грн
100+242.12 грн
500+196.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG Виробник : onsemi ntbls0d8n08x-d.pdf MOSFETs MOSFET, Power 80V Single N-Channel
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.23 грн
10+438.03 грн
25+328.06 грн
100+239.25 грн
500+215.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG Виробник : ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+585.36 грн
5+507.15 грн
10+428.11 грн
50+376.13 грн
100+326.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG Виробник : ON Semiconductor ntbls0d8n08x-d.pdf MOSFET - Power, SingleN-Channel, TOLL80 V, 0.79 mOhm, 457 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG Виробник : ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG Виробник : onsemi ntbls0d8n08x-d.pdf Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.