Інші пропозиції NTBLS0D8N08XTXG за ціною від 238.12 грн до 582.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBLS0D8N08XTXG | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBLS0D8N08XTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBLS0D8N08XTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBLS0D8N08XTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 457A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTBLS0D8N08XTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NTBLS0D8N08XTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 457A; Idm: 1629A; 325W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 457A Pulsed drain current: 1629A Power dissipation: 325W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.79mΩ Mounting: SMD Gate charge: 262nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |