NTBLS0D8N08XTXG


ntbls0d8n08x-d.pdf
Код товару: 219030
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTBLS0D8N08XTXG за ціною від 252.03 грн до 631.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG onsemi ntbls0d8n08x-d.pdf Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+252.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG onsemi ntbls0d8n08x-d.pdf Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
на замовлення 12294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.63 грн
10+413.39 грн
50+329.87 грн
100+284.39 грн
500+278.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG On Semiconductor ntbls0d8n08x-d.pdf N-Channel 80 V 457A (Tc) 325W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+252.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
на замовлення 12294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+631.63 грн
10+413.39 грн
50+329.87 грн
100+284.39 грн
500+278.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
N-Channel 80 V 457A (Tc) 325W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

4,7 kOhm 1% 0,1W 100V 0603 (232270464702)
Код товару: 219032
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSM5601R5HRDAR
Код товару: 219029
Додати до обраних Обраний товар
tpsm5601r5he
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1
Код товару: 190239
Додати до обраних Обраний товар
bat60aseries.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a304313d846880113def70c9304a9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XT90H-M.G.Y.T жовтий з'єднувач (Amass)
Код товару: 173117
18 Додати до обраних Обраний товар
Amas-cat1.pdf
Виробник: AMASS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення жовтий DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 2. На провід максимум 10AWG. Максимальний струм: 45A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 2
Серія роз’єма: XT90
Монтаж: На провід
у наявності: 38 шт
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 61050 шт
  • 20000 шт - очікується 25.12.2026
  • 20000 шт - очікується 27.12.2026
  • 20000 шт - очікується 26.02.2027
  • 1050 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+47.00 грн
10+42.50 грн
100+37.10 грн
1000+33.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XT90PB-F
Код товару: 135690
Додати до обраних Обраний товар
xt90pb-spec-datasheet.pdf
Виробник: AMASS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо живлення DC. "Мама", 2 контакти. Монтаж: PCB / THT. Напруга / струм: 500V / 90A. Колір жовтий
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 11 мм
Серія роз’єма: XT90
Монтаж: На плату
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.