Продукція > ONSEMI > NTBLS1D1N08H
NTBLS1D1N08H

NTBLS1D1N08H onsemi

ntbls1d1n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+236.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBLS1D1N08H onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTBLS1D1N08H за ціною від 213.29 грн до 555.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H Виробник : onsemi ntbls1d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.21 грн
10+347.46 грн
100+258.94 грн
500+213.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H Виробник : onsemi ntbls1d1n08h-d.pdf MOSFETs T8-80V IN TOLL
на замовлення 5534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.69 грн
10+378.95 грн
100+245.13 грн
500+234.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H Виробник : ON Semiconductor ntbls1d1n08h-d.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H Виробник : ON Semiconductor ntbls1d1n08h-d.pdf Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H Виробник : ON Semiconductor ntbls1d1n08h-d.pdf Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H Виробник : ONSEMI NTBLS1D1N08H-D.PDF Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H Виробник : ONSEMI ntbls1d1n08h-d.pdf NTBLS1D1N08H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.