Продукція > ONSEMI > NTBLS1D1N08H
NTBLS1D1N08H

NTBLS1D1N08H onsemi

ntbls1d1n08h-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+218.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBLS1D1N08H onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTBLS1D1N08H за ціною від 241.60 грн до 553.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H onsemi ntbls1d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.60 грн
10+361.63 грн
100+264.55 грн
500+241.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H onsemi NTBLS1D1N08H-D.PDF MOSFETs T8-80V IN TOLL
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H ON Semiconductor ntbls1d1n08h-d.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H ntbls1d1n08h-d.pdf
NTBLS1D1N08H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+553.60 грн
10+361.63 грн
100+264.55 грн
500+241.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H-D.PDF
NTBLS1D1N08H
Виробник: onsemi
MOSFETs T8-80V IN TOLL
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H ntbls1d1n08h-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.