NTBLS1D5N10MCTXG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 262.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBLS1D5N10MCTXG onsemi
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 312A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 322W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTBLS1D5N10MCTXG за ціною від 258.89 грн до 601.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 312A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 322W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBLS1D5N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V |
на замовлення 18365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTBLS1D5N10MCTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 100 V, 1.53 mohm, 312 A |
на замовлення 3022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 312A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 322W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Power MOSFET, Single, N-Channel |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Case: H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Power dissipation: 161W Drain current: 312A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 2055A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |