Продукція > ONSEMI > NTBLS1D5N10MCTXG
NTBLS1D5N10MCTXG

NTBLS1D5N10MCTXG ONSEMI

4018413.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 322W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+422.35 грн
100+365.54 грн
500+301.97 грн
2000+270.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBLS1D5N10MCTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 312A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 322W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTBLS1D5N10MCTXG за ціною від 262.74 грн до 593.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG Виробник : onsemi NTBLS1D5N10MC-D.PDF Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.87 грн
10+388.21 грн
100+285.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG Виробник : onsemi NTBLS1D5N10MC-D.PDF MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 100 V, 1.53 mohm, 312 A
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.25 грн
10+394.99 грн
100+262.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG Виробник : ONSEMI 4018413.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 322W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+593.60 грн
10+422.35 грн
100+365.54 грн
500+301.97 грн
2000+270.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor ntbls1d5n10mc-d.pdf Power MOSFET, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG Виробник : ONSEMI NTBLS1D5N10MC-D.PDF NTBLS1D5N10MCTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG Виробник : onsemi NTBLS1D5N10MC-D.PDF Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.