Продукція > ONSEMI > NTBLS1D7N08H

NTBLS1D7N08H onsemi

Name: NTBLS1D7N08H
Brand: onsemi
SKU: 13254816-3
Price: 365920.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	182.96 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTBLS1D7N08H onsemi

Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTBLS1D7N08H за ціною від 167.04 грн до 439.93 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

NTBLS1D7N08H

ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	270.65 грн
250+	247.39 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

NTBLS1D7N08H

onsemi

Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)

на замовлення 5930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	375.85 грн
10+	303.90 грн
100+	245.84 грн
500+	205.08 грн
1000+	175.60 грн

В кошику од. на суму грн.

NTBLS1D7N08H

ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	422.66 грн
5+	395.52 грн
10+	369.21 грн
50+	317.64 грн
100+	270.65 грн
250+	247.39 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

NTBLS1D7N08H

onsemi

MOSFETs T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET

на замовлення 3281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.93 грн
10+	263.43 грн
100+	185.37 грн
500+	173.39 грн
1000+	167.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NTBLS1D7N08H

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	270.65 грн
250+	247.39 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

NTBLS1D7N08H

Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)

на замовлення 5930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	375.85 грн
10+	303.90 грн
100+	245.84 грн
500+	205.08 грн
1000+	175.60 грн

В кошику од. на суму грн.

NTBLS1D7N08H

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	422.66 грн
5+	395.52 грн
10+	369.21 грн
50+	317.64 грн
100+	270.65 грн
250+	247.39 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

NTBLS1D7N08H

Виробник: onsemi
MOSFETs T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET

на замовлення 3281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	439.93 грн
10+	263.43 грн
100+	185.37 грн
500+	173.39 грн
1000+	167.04 грн

В кошику од. на суму грн.