NTBLS1D7N08H onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 188.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBLS1D7N08H onsemi
Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTBLS1D7N08H за ціною від 159.98 грн до 427.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBLS1D7N08H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTBLS1D7N08H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTBLS1D7N08H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTBLS1D7N08H | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.7 mohm?, 203 A |
на замовлення 3293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTBLS1D7N08H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 29A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 83W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1173A Drain-source voltage: 80V Drain current: 203A On-state resistance: 1.7mΩ кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 83W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1173A Drain-source voltage: 80V Drain current: 203A On-state resistance: 1.7mΩ |
товару немає в наявності |